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　a-Si TFT 的结构可分为四种典型结构:源、漏、栅三电极位于半导体活性层a-Si同一侧的平面结构，其中源、漏、栅三电极位于a-Si层上侧的称正栅平面结构，源、漏、栅三电极位于a-Si层下侧的称倒栅平面结构;源、漏、电极与栅电极位于a-Si层两侧的交错结构，其中栅电极在a-Si层上侧，源、漏电极在a-Si层下侧的称正栅交错结构或顶栅结构，栅极在a-Si下侧，源、漏电极在a-Si层上侧的称倒栅交错结构或底栅结构。

从制造工艺上看，交错结构的SiN，a-Si和n+a-Si三层(或其中二层)可以连续淀积，适合流水作业，河源开关屏，又可减少交叉污染。现在，交错结构已成为主流，它不仅对a-Si， SiN.， n+a-Si可连续作业，开关屏电话，而且倒栅还可以作遮光层(不需另设遮光层)，这对a-Si TFT是重要的，因为a-Si对光敏感，一旦有光流入引起漏电流增加，将会导致像质恶化。

从TFT-LCD的切面结构图（下图）可以看到LCD是由二层玻璃基板夹住液晶组成的，形成一个平行板电容器，通过嵌入在下玻璃基板上的TFT对这个电容器和内置的存储电容充电，维持每幅图像所需要的电压直到下一幅画面更新。液晶的彩色都是透明的必须给LCD衬以白色的背光板上才能将五颜六色表达出来，而要使白色的背光板有反射就需要在四周加上白色灯光。因此在TFT-LCD的底部都组合了灯具，如CCFL或LED。

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TFT液晶屏的光线调节主要是指 亮度调节 ，其*心是通过控制 背光板 的亮度来实现的。TFT技术本身通过为每个像素点配备独立的开关晶体管（TFT），可以*准控制每个像素点的光线透过量，从而形成清晰、色彩鲜艳的图像。用户或设备可以根据环境光线变化手动或自动调整屏幕亮度。

具体调节方式和相关原理如下：

调节方式

调节背光 ：TFT液晶显示屏的亮度主要由其背后的 背光板 进行调节。通过改变背光板的亮度，即可整体改变屏幕的发光强度。

手动/自动 ：用户可以通过设备上的按钮手动调节屏幕亮度。许多设备也具备 自动亮度调节 功能，能根据环境光线的变化自动调整屏幕亮度，这样既能保证在不同光线下都有良好的可视性，也有助于节省能耗和保护视力。

TFT技术作用 ：TFT（Thin Film Transistor）技术为每个像素点都配备了一个独立的 TFT晶体管（开关） 。这个“开关”可以独立控制对应像素的状态，*准控制液晶分子的排列，从而调节每个像素点的亮度和透明度，Z终形成图像。

偏光片作用 ：偏光片是TFT LCD中不可或缺的光学组件，通常位于液晶屏的前后两侧。它通过只允许特定方向的光线通过，能够 控制通过液晶层的光线 ，对显示屏的亮度和对比度有重要影响。

光线产生方式 ：需要明确的是，TFT-LCD屏幕本身 不发光 ，它需要一个持续发光的 背光源 （通常是白光）作为基础5。光线经过TFT开关、液晶层、彩色滤光片等一系列组件的调控后，Z终形成我们看到的彩色画面

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 LCD技术主要有两大类：无源阵列(passive matrix)和有源阵列(active matrix)。无源阵列(常见的类型包括STN，全称为Super Twisted Nematic，即超级扭曲向列，及其衍生类别)，是在玻璃衬底上印刷出列引线结构，在另一块玻璃衬底上印刷出列引线结构，然后组成一种”液晶三明治”的结构。这些行列交叉点就是像素点。因此，开关屏改造，为了某个像素，时序电路需要为该像素所在的列供电，同时将该像素所在的行接地。这样，在该像素处的电压差会使得对应位置的液晶发生变化，于是该点将变为不透明，阻止光线通过

    TFT（Thin Film Transistor）即薄膜场效应晶体管，属于有源矩阵液晶显示器中的一种。它可以“主动地”对屏幕上的各个独立的像素进行控制，这样可以大大提高反应 时间。一般TFT的反应时间比较快，约80毫秒，而且可视角度大，一般可达到130度左右。广州咖啡机显示屏控制系统批发

无源阵列技术虽然比较简单，但有一些不足的地方。例如，屏幕刷新时间相对比较长(这可能会造成快速移动图像出现”拖影”现象)。另外，行列交叉点处的电压也有可能泄露到临近的像素点，这会在一点程度上造成附近的像素区域的液晶变得不透明，阻碍光线通过。对于观看者来说，会看到图像迷糊不清，对比度有所降低。此外，可视角度也相对较小。

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